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» » Nueva memoria 'FeTRAM', usa un 99% menos energía que la memoria flash

En el Centro de Nanotecnología Birck, de la Universidad de Purdue está siendo desarrollado un nuevo tipo de memoria de ordenador no volátil, que puede ser más rápida que las memorias comerciales existentes y utilizar mucha menos energía que los dispositivos de memoria flash.

La memoria FeTRAM (ferroelectric transistor random access memory), combina la tecnología de nanocables de silicio con un polímero ferroeléctrico, un material que cambia la polaridad de los campos eléctricos cuando aplicados, lo que hace posible un nuevo tipo de transistor ferroeléctrico. Tiene potencial para usar un 99 por ciento de energía menos que la memoria flash.

La tecnología FeTRAM cumple las tres funciones básicas de la memoria de un ordenador: escribir información, leer la información y mantenerla durante un largo período de tiempo.

Esta nueva tecnología es compatible con la tecnología estándar de chip CMOS y tiene el potencial para reemplazar los sistemas convencionales de memoria.

Los FeTRAM son similares a memorias de acceso aleatorio avanzadas ferroeléctricos, las FeRAM, que son de uso comercial, pero que tan sólo representan una parte relativamente pequeña del mercado general de los semiconductores. Se usa de material ferroeléctrico y para almacenar información de manera no volátil. Pero, a diferencia de las FeRAM, esta nueva tecnología permite la lectura no destructiva, es decir, la información se puede leer sin perderla, esto es posible debido a que el almacenamiento de información se hace mediante un transistor ferroeléctrico en lugar del condensador utilizado en las FeRAM convencionales.

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Editor del blog Pedro Donaire

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